IMEC開發<20nm的碳奈米管記憶體
- 上線日期：2012/11/16 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
比利時微電子研究中心 IMEC 宣佈，將與 Nantero 公司合作開發臨界尺寸小於20nm的碳奈米管非揮發性記憶體。
IMEC 一直積極研究基於金屬氧化物的電阻式 RAM ，該組織希望能成功研發出碳奈米管(carbon nanotube, CNT)記憶體，以作為 DRAM 的替代產品。
位在美國麻薩諸塞州的 Nantero 公司早在2000年就開發出碳奈米管(CNT)記憶體，稱之為 NRAM 。過去十年以來，該公司取得了顯著進展，在 Nantero 的網站上，該公司聲稱 NRAM 很快就會在密度方面超越 DRAM ，並在功耗方面贏過 DRAM 或快閃記憶體，甚至可取代可攜式產品中使用的快閃記憶體。
每一個CNT尺寸都是奈米級，長度則可達到毫米級。然而， Nantero 開發了一種非編織狀基質(non-woven matrix)的 CNT，並將之沉積在包含底部單元選擇元件和陣列線的基板上。
2006年，該公司宣佈已成功製造和測試了22nm記憶體開關。為開發下一代高密度記憶體技術， IMEC 同意支援 Nantero 製造、測試和特徵化NRAM陣列。
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