室溫奈米圖案術為超高密度儲存鋪路
- 上線日期：2009/10/9 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
韓國浦項(Pohang)科技大學與樂金電子(LG Electronics)的研究人員針對超高密度資料儲存應用，發展出將團聯共聚物(block copolymer)加以奈米圖樣化(nanopattern)的技術。有別於現行其他儲存技術，該技術可以在室溫條件下利用原子力顯微鏡(AFM)的探針來製作奈米圖樣，得到的資料儲存密度可高達1 Tb/in2。
研究團隊領導人Jin Kon Kim表示，目前最好的資料儲存媒體單位面積儲存密度(areal density)不超過0.3 Tb/in2，若能將該團隊的技術商品化，將是資料儲存產業帶的一大突破。
現行的AFM微影技術都是使用探針在聚合物表面製作奈米級圖樣，例如IBM的千足(Millipede)存儲系統必需將探針加熱到超過聚合物PMMA的玻璃相變溫度(約350°C)，藉由局部熔化才能將奈米圖樣刻畫在PMMA基板上。然而，可加熱的AFM探針不易製造，且熱從探針轉移到聚合物的效率還不到1%。
韓國團隊能以常溫AFM探針在聚合物薄膜上製作奈米圖案，關鍵在於採用了聚苯乙烯團聯共聚物(PS-b-PnPMA)，該材料具有壓塑性(baroplastic)，在正常情況下非常堅硬，但在外加壓力下會產生相變而軟化，因此不需要加熱就能製作出穩定的奈米圖樣。
Kim表示，以AFM探針輕壓團聯共聚物表面，便可壓印出密度高達1 Tb/in2的奈米圖案。每個圖案都能轉換成二進位的1或0，就像傳統的打洞卡(punch card)系統。若使用更尖銳的AFM探針，還能進一步提升儲存密度。為了證明此儲存媒體的實用性，研究人員將圖樣清除並重新寫入聚合物薄膜超過十次，薄膜並未受損。
Kim認為，此技術對於發展高密度資料儲存媒體是個重要的里程碑，此外，它也能輕易製作幾何結構複雜的奈米圖形。該團隊目前計畫測試奈米圖形能穩定存留的時間，並提升單位面積儲存密度。詳見Nature Nanotechnology doi:10.1038/nnano.2009.260。
原始網站: http://nanotechweb.org/cws/article/tech/40477
譯者:謝德霖(逢甲大學光電學系)
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