體質強健 「O-S-D」市場表現優於整體IC產業
- 上線日期：2009/3/31 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
根據市場研究機構IC Insights的最新報告，光電元件(optoelectronics)、MEMS加速度計、CMOS影像感測器、功率電晶體以及整體離散元件市場，不畏2008下半年的金融風暴，在去年創下了高營收業績。該機構並預期，儘管在09年將遭遇衰退，但大多數的光電元件、感測器與離散元件(簡稱O-S-D)領域，將在2010~2011年迅速復甦、再創業績新高記錄。
儘管半導體產業表現在2008下半年開始走下坡，IC Insights的數據顯示，O-S-D領域銷售額在2008年達到430億美元，佔整體半導體市場營收的16.4%。而由於各類光電元件與感測器產品成長強勁，O-S-D市場的營收成長率持續超越整體IC產業營收。
IC Insights預測，O-S-D市場將在2013年為整體半導體產業貢獻17%的營收，該市場的複合年成長率(CAGR)也將在接下來的五年高於整體IC市場。預期O-S-D市場的CAGR在2008~2013年之間為7%，整體IC市場的CAGA則為6%。
幾乎所有光電元件、感測器/致動器(actuators)與離散元件產品，都在2008年11月全球性金融風暴之前表現亮眼。至於2009年，IC Insights估計光電元件銷售額將下滑12%，來到169億美元；MEMS感測器/致動器業績將下滑26%，來到41億美元；而高成熟度的離散元件領域業績則將下滑21%，來到143億美元。
不過整體O-S-D市場銷售額預期將在2010年反彈成長14%，並在2011年進一步取得17%的成長，創下473億美元的營收新高紀錄。
將O-S-D各領域分開來看：光電元件市場主力為CMOS影像感測器、光學網路雷射元件(optical network lasers)以及高亮度LED，使該市場在2008年成長13%，創下193億美元的銷售業績；而該年度光電元件業績也首度超越離散元件，領先幅度達11億美元之多。至於09年，光電元件市場雖逃不過衰退，卻可望再2010年反彈成長15.4%達到195億美元規模。
在以MEMS技術為基礎的加速度/方向感測器方面，IC Insights的數據顯示該領域元件在08年達到10億美元業績，成為應用比例最高的半導體感測器類別。其23%的高成長率是由智慧手機與消費性電子產品所使用的低成本加速度計所貢獻。在09年遭遇19%的衰退後，該領域預期將在2010年取得21%的成長，2011年更將達到24%成長率、13億美元營收。
在CMOS影像感測器方面，該市場2008年創下了50億美元的營收記錄；儘管09年恐將衰退10%，但2010年將反彈成長23%，達到51億美元的新高記錄。
至於由MOSFET與IGBT產品領軍的功率電晶體市場，在2008年的業績則高達100億美元；不過此一離散元件市場將因終端系統需求大幅衰退，在09年出現20%的負成長。但功率電晶體仍可望再2010年復甦，達到13%的成長率，並進一步在2011年創下104億美元的業績新高。
以O-S-D各領域在整體IC市場所佔的比例來看，在08年，光電元件營收佔據7.4%，感測器/致動器佔據2.1%，離散元件則佔據7%。而其他類別元件的營收佔據整體市場的比例數字，則分別為MOS微電子19.9%、記憶體17.5%，以及向來是IC市場主力的邏輯元件32.4%。
(參考原文：Analyst: Growth in optos, sensors, discretes set to outpace ICs，by John Walko)
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