以TSV為基礎 Elpida、力成、聯電攜手開發3D IC
- 上線日期：2010/6/25 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
Elpida公司、力成科技與聯電(UMC)宣佈，三方將攜手合作，針對包括28奈米的先進製程，提昇 3D IC 的整合技術。這項合作將以直通矽晶穿孔 (Through-Silicon Via, TSV)製程的開發為重心，透過Elpida提供的 DRAM 技術、力成的封裝技術，以及聯電的先進邏輯技術，建立 Logic+DRAM 的 3D IC 完整解決方案。
“Elpida公司去年首度以 TSV 技術為基礎，成功開發80億位元組的DRAM，”Elpida公司董事兼技術長安達隆郎表示。“這項技術最大的優勢是它可以在邏輯與DRAM元件間建立大量的I/O連結，這樣將可以大幅增加數據傳輸的速率並且減少功率消耗，使新型式的高效能元件能夠運作。
然而，我們需要可信賴的邏輯晶圓專工夥伴才能達成這個目標，安達隆郎指出，與聯電的合作，意味著該公司將能使用TSV整合技術，將Elpida的DRAM技術與聯電的邏輯晶圓專工技術，包括先進微處理器等系統單晶片解決方案的經驗相結合。而透過TSV技術整合所有元件，還能加速研發腳步，推動最終的系統解決方案問世。
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