CEA-Leti：直寫電子束微影適用14奈米製程
- 上線日期：2012/2/29 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
法國研究機構 CEA-Leti 表示，已成功使用直寫電子束微影(direct-write e-beam lithography)技術製作出 22奈米線與空間(lines and spaces)，而且所展示的解析度可符合 14奈米與10奈米邏輯製程節點的需求。
除此之外，開發多電子束(multibeam)設備原型、目前正獲得 CEA-Leti 採用的荷蘭廠商 Mapper Lithography，與CEA-Leti共同宣佈雙方擴張夥伴關係，將其合作研發計畫“Imagine”期限展延三年；其內容包括為CEA-Leti安裝第一套Matrix試產(pre-production)工具。
Mapper的試產平台已經在2009年中安裝於CEA-Leti 的無塵室；包括意法(ST)與台積電(TSMC)都是Imagine研究案的原始參與者，來自13家公司的50位代表則在2012年1月份參與了一場研究專案的營運審查。
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