挪威學者成功在石墨烯基板上生長奈米線路
- 上線日期：2012/9/14 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
挪威科技大學(Norwegian University of Science and Technology，NTNU)的研究人員已經研發出一種在石墨烯(graphene)上生長砷化鎵(GaAs)奈米線路的技術，並已申請專利準備商業化；該技術將可催生能整合進衣服或記事本等各種東西上的軟性、自供電(self-powered)電子元件。
研究人員相信，該種生長在石墨烯上的半導體終將成為新一代電子元件的基礎，並徹底改變半導體產業。NTNU電子與電信科系教授Helge Weman表示，該校的專利複合材料能提供優異的光電特性：「我們已經在新研發的電極材料中成功結合低成本、透明度、軟性等特點。」他同時也是為了把研究成果商業化而成立的新公司CrayoNano之共同創辦人暨技術長。
NTNU的研究成果最近刊登在美國研究期刊《Nano Letters》中，該專利技術是以分子束磊晶(molecular beam epitaxy)在僅有原子厚度的石墨烯上生長半導體奈米線。「我們並不是把這個技術視為一種新產品；」Weman指出：「這是半導體元件量產新方法的模板(template)，我們預期太陽能電池與 LED會是未來該技術的優先應用。」
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