奈米微粒讓LED亮起來
- 上線日期：2009/6/30 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
電子製造商富士康(Foxconn)開發出利用奈米微粒摻雜侷限層(confining layer)的方式來，讓氮化銦鎵(InGaN)與砷化鋁鎵(AlGaAs)主動層的晶格排列更平滑有序，藉以提昇發光二極體(LED)的量子效率。這項美國專利的申請將挑戰目前LED晶片廠的製程技術。
鴻海精密股份有限公司(Hon Hai Precision Industry Co)藉由集團子公司富士康為Nokia、Apple與Dell等國際大廠代工。富士康是目前全球最大的電子製造商之一，他們宣稱以氫化的碳化矽(hydrogenated SiC)作為LED的基板材料，可以有效改善LED晶片的散熱問題。他們在5月28日提出兩項LED專利的申請。
這個總部在台灣的公司申請的兩個LED專利，範圍包括使用InGaN或AlGaAs作為主動層、單量子井或多重量子井層。富士康的LED與一般LED磊晶結構的差別在於，前者在主動層兩側的侷限層摻雜了直徑20-200 nm的奈米微粒。發明人陳杰良(Ga-Lane Chen)為鴻海集團的技術長，他在專利申請書中指出，摻入的奈米微粒可以是氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)、氧化鎵(GaO)、氮化鎵(AlN)或氮化硼(BN)，將有助於改善LED裸晶的晶粒品質。
專利中寫道，奈米微粒可以改變n型與p型侷限層的晶格常數(lattice constant)，進而減少晶格的應變。藉由減小應變，在n型侷限層上沉積主動層以及在主動層上沉積p型侷限層時，可以降低晶格錯位(dislocations)產生的機會。此外，晶格應變減小也會使主動層與侷限層間的應力降低，進而改善量子效率。
鴻海於2001年創立沛鑫半導體工業股份有限公司(Foxsemicon Integrated Technology Inc.，FITI)，做為專門研發生產TFT-LCD、LED照明與LED顯示器的子公司。從2006年起迄今，鴻海精密、沛鑫半導體與富士康已經在美國申請了一些LED晶片的專利。
原始網站: http://nanotechweb.org/cws/article/tech/39433
譯者:謝德霖(逢甲大學光電學系)
- 相關附件: