雙極性二硫化鉬電晶體飆破紀錄
- 上線日期：2013/4/16 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
美國科學家利用二硫化鉬(molybdenum disulphide, MoS2)二維(2D)薄膜製作出雙極性場效電晶體(ambipolar field-effect transistor)，其室溫下電荷載子遷移率為破紀錄的480 cm2/Vs。此研究結果有助於於製作可撓式透明顯示器以及其他電子或光電裝置上。
2D材料如MoS2與石墨烯(graphene)的電子和機械性質與它們的3D材料大相逕庭，可望用來發展新式元件。不過先前的研究大多集中在石墨烯上，但石墨烯因為缺少能隙使其相關元件並不能輕易地開關電流。2D MoS2的能隙為1.3 eV，逐漸薄化至單層時更轉變為1.9 eV的直接能隙。對於利用電子電洞對激發過程的光電裝置而言，直接能隙材料要比間接能隙材料(如矽材料)更容易用來製作元件。
稍早，美國馬里蘭(Maryland)大學的Michael Fuhrer(現任職於澳洲蒙那許(Monash)大學)等人使用2D MoS2薄片製作出場效電晶體。他們利用力學剝離法從MoS2晶體取得薄片，然後置於聚合物PMMA基板上，結果發現MoS2的電荷載子遷移率獲得大幅提升，實驗測得其電子及電洞遷移率皆高達480 cm2/Vs。這種雙極性行為代表此材料可在同一元件中作為n型和p型材料。
原始網站：http://nanotechweb.org/cws/article/tech/52568
責任編輯：劉家銘
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