IMEC利用EUV技術製作22奈米SRAM單元
- 上線日期：2009/4/30 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
位於歐洲比利時的研究機構IMEC宣佈成功利用深紫外光(EUV)微影技術，開發出全球首款可運作的22奈米(nm) CMOS SRAM單元(cell)；該SRAM單元是與FinFET一起產出，兩者的接觸層與metal-1層，都是以ASML的Alpha Demo Tool (ADT)全場EUV設備所製作。
至於該元件的超小電路則是利用美商應用材料(Applied Material)最先進的沉積設備所製作。該SRAM單元的面積為0.099平方微米(square microns)，為IMEC去年所發表的0.186平方微米32奈米SRAM單元的47%。
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