CMOS終跨進PA大門 砷化鎵業者皮皮挫
- 上線日期：2011/1/26 上午 12:00:00
- 資料來源：CTimes
傳統功率放大器（PA）均是以砷化鎵（GaAs）製作為主，CMOS多難跨越雷池一步。然而目前CMOS製程終於堂而皇之跨入功率放大器的領域之中，並陸續有相關廠商發表最新產品。專為無線應用提供功率放大器技術的無晶圓半導體公司Black Sand也發表了最新的3G CMOS RF功率放大器產品線，預計將可大幅提高行動電話、平板電腦和數據卡的可靠性和資料傳輸率。兩條產品線共包含六款涵蓋多個頻段的獨特功率放大器。
Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，行動裝置製造商正在尋找一項可替代砷化鎵功率放大器的技術，因該技術長久以來具有供應短缺和更高成本結構的問題。透過CMOS製程，BST34和BST35產品讓客戶能迅速獲得其所需要的PA技術，以進行超高量能製造。
Jim Nohrden說，該公司擁有大於現有GaAs功率放大器供應商之結合的策略性供應基礎，隨著市場持續採用3G行動裝置，這項優勢將被證明是至關重要的，因為其 PA 數量是 2G 手機的2至3倍。我們的產品將為客戶帶來更高效能，並於2011年提供更可靠的供應來源。
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