量子點可望改寫記憶體發展
- 上線日期：2009/7/17 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
歐洲將投注一百萬歐元來進行銻化物(antimonide)量子點在資料儲存應用上的研究。這個歐洲學術聯合研究計畫將於六月開跑，研究以三五族(III-V)量子點為基礎的元件，做為繼承快閃記憶體(flash memory)的選擇。
這個三年期的研究計畫是由德國杜伊斯堡艾深大學(University of Duisburg-Essen)主導，另外三個研究機構分別為德國柏林工業大學(Technical University of Berlin)、荷蘭的恩荷芬科技大學(Technical University of Eindhoven)及英國的蘭開斯特大學(Lancaster University)。計畫名稱為「單量子點耦合到二維系統」(Coupling of single quantum dots to two-dimensional systems)，簡稱QD2D。
蘭開斯特大學的Manus Hayne表示，此計畫的目的是研究室溫下單量子點的詳細特性，以利了解電荷式記憶體(charge-based memory)的最大儲存極限。僅管目前快閃記憶體十分熱門，但其資料寫入的速度太慢，而且最後會危害到它使用的矽晶片，因此科學家一直在尋找其他出路。
QD2D型的記憶體發展的方向，是利用寬能隙的砷化鎵(GaAs)來包圍窄能隙的銻化鎵(GaSb)量子點。量子點的行為類似位能井，可以儲存電荷，資料儲存方式與矽快閃記憶體將電荷放在兩個相鄰氧化矽位障內相似。
Hayne表示，此設計可以將寫入速度提升到快閃記憶體的1000倍以上，但資料刪除的速度仍然很慢，不過這點或許可藉由晶片設計加以排除。QD2D計畫的合作夥伴也提出另一個目前主流記憶體DRAM的取代方案，其速度約快10倍。
Hayne指出，快閃記憶體製造商不斷地將矽晶圓上的微影線寬變小，以提升資料的儲存量，然而摩爾定律的適用性預計會在2014年達到臨界點。這時候記憶體製造商就真的需要一個新的解決方式。相變化記憶體(Phase change memory)將是個熱門的方向，然而其相關問題仍待解決，而記憶體製造商將繼續尋求更多的可能性。
原始網站: http://compoundsemiconductor.net/cws/article/lab/39266
譯者:謝德霖(逢甲大學光電學系)
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