Novellus開發全新TSV封裝銅底層技術
- 上線日期：2010/3/31 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
諾發系統(Novellus)日前宣佈開發出一套全新先進的銅阻障底層物理氣相沉積(PVD)製程，其將用於新興的貫穿矽晶圓通路(TSV)封裝市場，該製程使用諾發INOVA平台，並搭配特有的中空陰極電磁管(HCM)技術製造出高貼附性的銅底層。
諾發系統的工程師開發了一種基於HCM先進銅屏障種子製程為TSV所應用，其解決了技術上的挑戰和與傳統方法相關聯的高生產成本。創新的技術是基於物理氣相沉積製程腔體內使用專利的環永磁鐵，而產生強的局部電離子場，其可產生一個增強的離子密度於TSV結構的側壁上。另外，增加這個區域的離子密度，會讓較分散的濺鍍薄膜沉積在結構的側邊，如此可得到一個更為完好的沉積，此完好的沉積過程消除了圓錐側壁的需要，並允許用於TSV應用的沉積膜厚度要比典型PVD種子層薄四倍。
諾發系統的先進種晶製程可以於垂直側壁鍍2000A厚的銅種晶層，填滿在TSV 60微米深、10:1長寬比的架構下，並達到無孔洞的結果。傳統的物理氣相沉積方法需要一個8000A厚的種晶層來獲得相同結果。相對於傳統的物理氣相沉積方法，4倍薄的TSV種晶層使得系統輸送量大幅增加，並減少大於50%的耗材成本。
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