微影世界的藍色憂鬱
- 上線日期：2011/3/21 上午 12:00:00
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數十年來，微影一直是關鍵的晶片生產技術。今天它仍然很重要。不過，在最近的 SPIE 先進微影大會中，一些跡象顯示，微影社群及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經有點像心理安慰了。
焦慮、緊張和憂慮或許適合用來描述今天的微影領域。但也許後頭還有更嚴重的苦難，因為三個主要的下一代微影技術(NGL)候選人──超紫外光(EUV)、無光罩和奈米壓印──統統遲到。第四個NGL選項：定向自組裝(DSA)儘管來勢洶洶，但它畢竟仍處於探索階段。
擺脫微影憂鬱看來遙遙無期。今天的193nm浸入式微影技術仍然遠遠領先。業界一度認為193nm浸入式微影會在32nm遭遇極限，但令人驚訝，看來該技術可擴展到1-x奈米節點。不過，要獲得這些幾何圖形，晶片製造商必須採取更多、更昂貴的雙重曝光步驟。
而一度領先的下一代微影候選技術EUV仍然頑固地因為缺乏光源能、阻抗和關鍵光罩以及量測基礎設施而延遲。結果是EUV的聲望持續下滑，並失去了在1-x奈米節點大展身手的良機。
NAND快閃記憶體供應商之間存在著一種對EUV的迫切感，因為需要EUV來實現進一步微縮。NAND快閃記憶體廠商將193nm浸入式技術推進到了2-x奈米節點，但他們遲早需要在1-x奈米部份用到EUV技術。“我們的確曾對EUV技術充滿寄望，”SanDisk公司技術總監Tuan Pham說。SanDisk和東芝(Toshiba)在日本有一座合資的NAND晶圓廠。
當被問及是否擔心EUV的地位時，Globalfoundries資深院士Harry Levinson表示：“我是必須擔心。”Levinson也是該公司的微影策略經理。
由於 EUV技術持續落後於半導體的微縮腳步，設備製造商ASML Holding NV據報導仍在思考將EUV波長從13nm減少到6.7nm，以追上摩爾定律。這也意味著該產業必須發展更新和更昂貴的EUV工具技術和基礎架構，這讓該領域的專家們不寒而慄。
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