FEI發佈MEMS和3D IC用突破性離子束技術
- 上線日期：2011/7/1 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
半導體產業長期以來均仰賴於高階聚焦離子束(FIB)工具來切割橫截面，以瞭解奈米級先進晶片製程的細節。然而，要用這些工具來解剖微米和毫米級的 MEMS 晶片以及採用如矽穿孔(TSV)技術的 3D 堆疊晶片時，可能需要花費長達12小時的時間。現在，工具供應商 FEI Co. 聲稱，已經徹底改良了用於 3D IC 和 MEMS 的聚焦離子束技術。
“MEMS 元件和新一代封裝技術，如用於還輯上記憶體元件的 TSV 等，對機械操作而言尺寸都太小，但對聚焦離子束來說又過於龐大，”FEI產品行銷經理Peter Carleson表示。“要測量微米級的100s功能可能要花費數小時，但透過重新設計 Vion 使其能處理更大電流，我們可以在這些較大的尺寸上進行處理。”
FEI聲稱，其新設計的 Vion 電漿聚焦離子束(PFIB)工具可減少 MEMS 和 3D 晶片的成像時間達20倍，就 TSV 而言，可從原先的10多個小時減少到40分鐘以下。這種新工具可以在數分鐘內便顯示半導體的特徵，尺寸範圍從30奈米到1毫米，而現有的聚焦離子束則工作在5nm左右，該公司表示。
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