全矽晶CMOS振盪器挑戰石英晶體和MEMS技術
- 上線日期：2010/6/15 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
石英晶體本身的侷限使得時脈振盪器一度朝微機電(MEMS)方向發展，以尋求頻率和性能上的突破，但MEMS的設計困難度和高成本卻是一大困擾。而IDT藉由收購Mobius Microsystems公司所獲得的全矽晶CMOS振盪器技術，為需要高頻、微縮產品尺寸的設計提出了一個低成本解決途徑。
“傳統石英振盪器有40MHz的頻率限制，而MEMS固有的雜訊和成本問題一直難以解決，”IDT矽晶頻率控制事業群總經理Michael McCorquodale表示。因此，能以通用CMOS矽製程製造的振盪器，可一舉解決上述問題。
這項全矽晶CMOS振盪器技術總共花費了12年才開發完成，包括McCorquodale在密西根大學的六年開發期間，以及接下來在Mobius Microsystems的六年時光。
結果是可用來取代共振器、共振器+振盪器的單一CMOS矽晶振盪器方案MM8202與MM8102。這兩款元件是IDT在今年初併購Mobius之後所發佈的新產品，由於除標準封裝外還能以晶粒形式供貨，因此，包括超薄型USB隨身碟、讀卡機和其他必須微縮尺寸的消費電子產品，都能採用CoB組裝來縮小體積和降低成本。
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