SilTerra推出0.13微米高電壓技術
- 上線日期：2008/8/19 上午 12:00:00
- 資料來源：DIGITIMES電子時報http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=0000102018_CX2LWRO52WANRN7G4O764
晶圓代工廠SilTerra日前宣布推出0.13微米高電壓製程技術。針對面板顯示器中驅動IC所設計，可應用於高解析度TFT LCD 面板（2.5英寸及以上）如PDA手機，移動式電視手機和智慧型手機。
新的高電壓製程技術特點包含2.13平方微米的新型SRAM, 可提供TFT面板中WQVGA（ 240RGBx432 ，四分之一的VGA ）， HVGA （ 320RGBx480，二分之一的VGA）和VGA （ 480RGBx 640 ）高密度嵌入式存儲器的最佳化設計。與傳統SRAM 比較，新型的SRAM 可提供顯示驅動器IC設計，在更小的面積內有更好的量產良率表現。此外，該技術提供讓設計更為密集的非對稱式高電壓元件結構，一次可程式化資料庫( OTP ) 作為伽瑪彩色校正和電壓微調，靜電保護及金屬電容器的設計準則。
SilTerra全球業務和市場行銷副總經理賴一龍表示，SilTerra是一家小面板驅動IC製造的領先廠商。最新的0.13微米高電壓製程技術是針對先進顯示器中驅動IC的解決方案, 為快速成長的智慧型手機、 PDA手機、移動電視電話和其他高解析度多媒體手持式產品應用所建立的第四代平台。此技術提供極低的待機電流的性能，更嚴格的設計規則與充分利用鋁的後段製程。並採用全套設計工具和資料庫，有助客戶縮短設計及產品上市時間。SilTerra計畫於明年第一季推出下一代小於 1.9平方微的6TSRAM。而0.13微米高電壓配合1TSRAM的製程開發順利，預計2009上半年大規模生產。
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