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首頁新聞訊息磁性記憶體造就類神經突觸接面

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根據法國科學家的研究，利用自旋轉換力矩(spin-transfer torque, STT)來操作的隨機存取磁記憶體STT-MRAM可做為記憶磁阻元件，用來製作一個具有”學習”能力的類突觸(synaptic-like)接面。這種接面在積體電路與次世代電腦中可以做為仿人腦運作的記憶單元。

傳統電腦計算仰賴兩種記憶體，一是隨機存取記憶體(RAM)，接上電源就能快速運作，但電源一關就無法保存資料。第二種為永久性記憶體(例如隨身碟、硬碟或光碟)，沒有電源時仍能儲存資料，但是運作速度遠比RAM慢。

STT-MRAM是另一種選項，由於它並非以電荷而是以磁的自旋狀態來儲存資料(例如平行與反平行態)，所以運作快速又能在無電源下持續儲存資訊。然而這種技術有一個大問題，那就是隨機切換(stochastic switching)。