聚焦離子束銑削術飆起來了
- 上線日期：2009/2/3 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
聚焦離子束(focused ion beam, FIB)銑削術(milling technique)是一種由大作小(top-down)的製作方法，它的精確度極高而且操作富有彈性，只可惜它的刻寫速度很慢，因此不適合用來法製作大型的陣列結構。不過最近芬蘭科學家將這項技術加以推廣，使刻寫速度提高了幾個數量級，因此可以用來快速製作具有高深寬比(aspect ratio)的矽奈米結構原型。
這項赫爾辛基(Helsinki)科技大學微奈米科學系的研究團隊所發展出來的技術，結合了FIB與低溫深離子蝕刻(deep reactive ion etching, DRIE)來製作矽奈米結構，其中的關鍵是利用FIB產生一個厚度僅30 nm的薄遮罩層(masking layer)。這種作法能將製程時間縮短好幾個數量級，為了證明這一點，研究人員在兩個小時內製作出36×36的奈米柱陣列。
除了具有速度快的優點，相較於直接以FIB銑削，採用上述兩種蝕刻步驟還能獲得較佳的側壁品質控制，研究人員得以製作出深寬比高達15:1的孔洞及立柱。此外，該團隊以這項技術獲得的最佳解析度是20 lines/μm，最小線寬為40 nm，因此可以用來製作尺寸為50 nm的微結構。
這項技術的發展開啟了快速製作矽奈米結構的大門，其相關應用包括電漿子學(plasmonics)、超材料(metamaterial)、奈米機械網路以及量子結構。詳見Nanotechnology 20 065307 (2009)。
原始網站: http://nanotechweb.org/cws/article/tech/37573
譯者:蔡雅芝(逢甲大學光電學系)
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