帶尾能態影響二硫化鉬表現
- 上線日期：2014/3/14 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
美國研究人員發現晶圓級二硫化鉬(MoS2)可能具有為數可觀的帶尾能態(electronic band tail states)。MoS2為具有科技應用潛力的2D材料，而這些會捕獲電荷的缺陷可能危害MoS2的電子性質，不過透過品質的提升將有助於克服此問題。
單層MoS2為直接能隙(1.8 eV)半導體，相較於間接能隙的矽更適合用來製作某些光電元件，甚至可能在次世代電子電路應用中成為石墨烯(graphene)的對手。直接能隙對於製作發光二極體、太陽電池及光偵測器而言相當重要，因為這類光電元件應用了電子電洞對激發(electron-hole pair excitation)，而直接能隙半導體在這方面的效率較高。
二硫化鉬的載子遷移率亦與最佳的矽材料相當(100-500 cm2/V‧s)。此外，二硫化鉬屬於2D材料以微弱鍵結形成的凡德瓦固體(van der Waals solid)，因此相容於多種基板，甚至是透明或塑膠基板。單層MoS2僅0.65 nm厚，因此製作的元件能抑制所謂的短通道效應(short-channel effect)，可製作超薄電晶體。
全文連結：https://nano.nchc.org.tw/index.php?apps=news&mod=welcome&action=show&gid=942
- 相關附件: