極紫外光微影(EUV)技術據稱將在5奈米(nm)節點時出現隨機缺陷。根據研究人員指出，目前他們正採取一系列的技術來消除這些缺陷，不過，截至目前為止，還沒有找到有效的解決方案。
這項消息傳出之際，正值格芯(Globalfoundries)、三星(Samsung)和台積電(TSMC)競相為明年的7nm生產升級其EUV系統至具有高可用性的250W光源。如今，這些隨機缺陷的出現顯示，針對半導體製造日益增加的成本和複雜性，並不存在任何解決問題的靈丹妙藥。
比利時Imec研究機構的圖形專家Greg McIntyre在日前於美國加州舉辦的國際光學工程學會先進微影技術會議(SPIE Advanced Lithography)上表示，最新的EUV掃描器可以印製出代工廠為7nm所計劃的20nm及更大尺寸之關鍵規格。然而，他們在製作精細線條和電洞的能力還不明確。
像McIntyre這樣的樂觀主義者認為，針對這種所謂的「隨機效應」很快地就會出現一連串的解決方案。但一些懷疑論者則認為這樣的結果只是多了一個讓人更加質疑EUV系統的理由——價格昂貴且延遲已久的EUV系統是否真的能成為晶片製造商的主流工具？
前英特爾(Intel)微影技術專家Yan Borodovsky預期，業界工程師應該能夠使用EUV步進機進行2-3次曝光，打造出5nm或甚至是3nm元件。但他在此次活動的主題演講時也指出，隨著晶片缺陷的不斷上升，最終將迫使工程師們採用新的容錯處理器架構，例如神經網路。
最近的缺陷突然出現在15nm左右的關鍵尺寸上，而這是針對2020年代工製程製造5nm晶片所需的技術節點。EUV製造商ASML在去年的活動中提及，該公司正在準備可印製更精細幾何尺寸的下一代EUV系統，但這些系統要到2024年之後才會推出。
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