研究人員利用穿隧磁阻技術製造非揮發性邏輯元件
- 上線日期：2010/7/16 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
一個日本研究團隊宣佈，已將高性能垂直式穿隧磁阻(perpendicular tunneling magneto-resistance)製程擴展至非揮發性邏輯元件的生產，並表示能以40奈米製程技術製造出內建8Gbit約當容量之非揮發性記憶體的邏輯晶片。
日本東北大學(Tokohu University)教授Hideo Ohno表示，其研發團隊所製造出的垂直電晶體(vertical transistors)架構元件，單元尺寸可達到4F2，也就是在100mm2面積的晶片上容納8Gbit記憶體，所佔據的單元面積僅5成。
穿隧磁阻(TMR)效應是用於在硬碟機上記錄資料之自旋閥巨磁阻(spin-valve giant magnetoresistance effect)效應的延伸；在做為自旋閥應用時，電子的自旋會垂直導向一層薄薄的絕緣穿隧障蔽層(tunnel barrier)，實現高密度的「垂直錄寫(perpendicular recording)」。
電子的穿隧效應──也就是從一個絕緣體的某一端彈出、又從另外一端彈回──是牛頓物理學所無法解釋的一種量子效應；類似的磁穿隧接面(magnetic tunneling junctions)，則是實現MRAM與各種可編程磁性邏輯元件的效應。
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