奈米柱彎曲大解密
- 上線日期：2009/7/31 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
電子束誘發沉積(electron-beam induced deposotion, EBID)是一種新興的奈米製造技術，它能直接將各種材料沉積成任意形狀的三維結構。其實在1930年代電子顯微鏡問世後，科學家就已經發現EBID這個現象，它是吸附在顯微鏡真空腔表面的有機分子分解後的結果，會在擷取電子影像時汙染樣品，所以一直被當成麻煩看待，直到奈米時代登場才獲得翻身的機會。
EBID可以用來製作獨立(free-standing)的奈米結構，以應用在掃描探針顯微鏡、場發射及奈米電子元件中。然而，在沉積密集的奈米結構時，新的問題接踵而來。科學家觀察到在生長獨立的奈米柱(nanopillar)時，先前已經長好的奈米柱往往會因不明原因而彎曲。
為了了解這種鄰近效應背後的機制，英國巴斯大學的研究人員最近進行了一系列的實驗，證實彎曲不是發生在生長期間，而是發生在以電子顯微術為以經生長好的奈米柱擷取影像時。
該小組也發現這個現象不像過去所認為的，可以歸咎於奈米柱之間的靜電作用，而主張是在為已經生長好的奈米柱擷取影像時，所產生的二次電子(secondary electron)造成奈米柱的結構改變。他們還分析了實驗條件，以防止已經沉積好的結構產生彎曲。詳情請參考Nanotechnology 20, p.285308 (2009)。
原始網站: http://nanotechweb.org/cws/article/tech/39791
譯者:蔡雅芝(逢甲大學光電學系)
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