台積電28奈米製程跑在前 狠拋競爭對手
- 上線日期：2008/9/30 上午 12:00:00
- 資料來源：EEDESIGN - 電子設計資源網
台積電29日宣布生產技術獲重大突破，不同於同業將32奈米製程技術定義為全世代製程，台積電先發制人將28奈米定義為全世代製程，同時在28奈米製程世代同時提供客戶高介電層／金屬閘(High-K Metal Gate；HKMG)及氮氧化矽(Silicon Oxynitride；SiON)材料2種選擇，台積電預計最快2008年底啟動共乘服務(CyberShuttle)，並於2010年第1季開始量產，台積電與競爭對手技術差距將愈拉愈大。
台積電28奈米製程同時具備高介電層／金屬閘及氮氧化矽閘電晶體2種彈性製造能力，且28奈米製程將是此系列中的全世代製程，目前已有多個客戶正使用台積電28奈米製程進行產品設計。台積電指出，以氮氧化矽為基礎的28奈米低耗電高效能製程(28LPT)，是此一製程系列中總功耗最低及具備成本效益的選擇，與40奈米低耗電製程(40LP)相較，閘密度增為2倍，速度可增加最多達50%或功耗減少30~50%。
台積電28LPT製程預計於2010年開始生產，並應用於行動基頻、應用處理器、無線網路與可攜式消費性電子產品等。過去消費者需求是低漏電且電池壽命長的可攜式電子產品，而現今消費者對無線通訊設備需求，除傳統通話和簡訊發送功能，更希望具備上網、視訊串流(Video Streaming)、音樂、行動電視、衛星導航等功能。
在電池壽命方面，消費者更關心操作功耗多寡，而氮氧化矽材料的閘電容量較低，操作功耗較一般高介電層／金屬閘要小，為受到電力限制的產品提供較低的總功耗優勢，以及更佳成本效益及更低風險。台積電先進技術事業資深副總劉德音表示，同時提供高效能、低功耗且具成本效益的技術，正可符合各種可攜式消費性晶片市場需求。
至於28奈米高效能製程(28HP)則是台積電第1個使用高介電層／金屬閘的製程，將著重於中央處理器、繪圖處理器及可程式邏輯閘陣列(FPGA)等高效能產品應用，預計於2008年底開始推出快速且頻繁的晶圓共乘服務予客戶進行產品試製。
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