台積電宣佈達成28奈米64Mb SRAM試產良率
- 上線日期：2009/8/26 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
台積電日前宣佈達成28奈米64Mb SRAM試產良率，而且分別在28奈米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化矽(簡稱28LP)等28奈米全系列製程驗證均完成相同的良率。該公司亦同時宣佈將低耗電製程納入28奈米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)製程的技術藍圖，預計於2010年第三季進行試產(Risk Production)。
台積電研究發展副總經理孫元成表示，上述所有三種28奈米系列製程皆已由64Mb SRAM晶片完成良率驗證；更值得一提的是，此項成果亦展現該公司兩項高介電層/金屬閘製程採用gate-last方法而獲得的製造效益。
該公司先進技術事業資深副總經理劉德音則表示，這項突破突顯台積電28奈米製程的能力與價值，顯示該公司不僅有能力延伸傳統慣用的氮氧化矽(Silicon Oxynitride)材料至28奈米世代，也能夠同時推出28奈米的高介電層/金屬閘材料製程。
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