聯電與ST合推65奈米CMOS影像感測器BSI技術
- 上線日期：2012/9/14 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
晶圓代工大廠聯華電子(UMC，以下簡稱聯電)日前宣佈，與意法半導體(ST)合作 65奈米 CMOS影像感測器背面照度(BSI)技術。雙方先前已順利於聯電新加坡Fab 12i廠產出意法半導體的前面照度式(FSI)製程，奠基於之前的成功經驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的夥伴關係。
此1.1um像素間距的BSI製程，將於聯電新加坡Fab 12i廠展開研發，並將以開放式平台模式供客戶採用，以協助客戶迎接高解析度與高畫質(千萬像素以上)尖端智慧手機世代的來臨。聯電負責 12吋廠營運的副總顏博文表示：「我們很高興與意法半導體攜手研發此次的專案，擴展與這位長期夥伴的合作關係。此次協議貫徹了聯華電子開放式平台的合作策略，以提供客戶導向晶圓專工解決方案，來因應日益攀升的市場需求。聯華電子期待藉著增加此CIS BSI製程，在未來更進一步地強化我們全方位的技術組合。」
<全文連結>
- 相關附件: