新研發多光子光阻劑技術號稱可取代超紫外光微影
- 上線日期：2011/2/10 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
微影技術的研發已進展至極短波長的超紫外光(EUV)，來自美國馬里蘭大學(University of Maryland)的研究團隊則提出一種多光子光阻劑(multi-photon photoresists)，能讓可見光微影達到奈米等級的解析度；通常微影解析度是與曝光時間成反比。
「大多數達到高解析度微影的方法，都是與採用更短波長的光源有關；」馬里蘭大學教授John Fourkas表示：「我們的目標是以可見光產出奈米級的微影效果。」該團隊新開發的多光子技術簡稱 RAPID (Resolution Augmentation through Photo-Induced Deactivation，透過光致去活化達到的解析度強化方法)，以一道雷射光在光阻劑中啟動曝光，然後加入第二道雷射來完成整個程序，僅在兩個聚焦光束重疊的奈米等級範圍內進行完全曝光。
Fourkas指出：「只要我們用一道雷射光並透過顯微鏡物鏡來進行聚焦，我們就能把吸收作用(absorption)侷限在雷射光聚焦體積的微小區域中。」研究人員已經就晶片上3D材料的選擇性聚合作用(selective polymerization)，將該技術最佳化；利用一種「多光子吸收聚合作用(Multi-photon Absorption Polymerization，MAP)」，研究團隊在晶片上製作出了微小的電感。
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