ST最先進技術延長廣播和醫學影像設備的使用壽命
- 上線日期：2011/5/27 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
STMicroelectronics (ST)推出新一代高頻功率電晶體 SD4931 和 SD4933 。全新射頻功率 MOSFET 系列整合最強固的晶片與高散熱效率封裝，可為設計人員實現更高的可靠性和性能。該新產品並能有效延長如醫學掃描器和電漿產生器等高功率射頻設備的工作時間，進一步提高應用性能及降低設備成本。
經製程升級後，意法半導體最新的射頻功率 MOSFET 電晶體可承受高達200V的峰值電壓，較同類競爭產品高20%以上。更高的耐用性可有效延長功率電晶體的使用壽命，因而降低設備的停機時間和經營成本。先進的製程還能提高MOSFET的增益、能效及高功率特性，進而提高設備性能，並簡化設計。
此外，新產品採用最新的陶瓷封裝和意法半導體的塑膠氣腔封裝技術(Air Cavity，STAC)，這兩種封裝可加速晶片散熱過程和提高可靠性，進一步降低設備維護成本。
SD4931 和 SD4933 分別是150W和300W N通道射頻功率 MOSFET 電晶體，適合用於50V DC訊號高達250MHz的應用。採用意法半導體的強化垂直矽製程和配備供螺栓式(bolt-down)安裝凸緣(flanges)的陶瓷封裝是這系列元件的兩大優勢。
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