新開發「輝鉬礦」半導體材料號稱性能表現優於矽
- 上線日期：2011/2/9 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
有一種新開發的半導體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據說僅有矽材料的十萬分之一，又能用以製作出尺寸更小的電晶體。瑞士洛桑理工學院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員並指出，這種新一代半導體材料具備能隙(bandgap)的特性也打敗石墨烯(graphene)。
EPGL 指出，輝鉬礦是一種礦藏豐富的材料，已經運用在鋼鐵合金以及做為潤滑油的添加劑；但該校的奈米電子與結構實驗室(Laboratory of Nanoscale Electronics and Structures，LANES)是首創開發採用該種材料的半導體元件。EPGL教授Andras Kis表示：「它具有可製作出超小電晶體、LED與太陽能電池的十足潛力。」
根據Kis的說法，與屬於三維結晶體的矽大不同，輝鉬礦有一種主要的特性，也就是本身為二維材料，能製作出厚度僅6.5埃(angstrom，十分之一奈米)的薄膜，而且製造方法相對容易；其電子遷移率則與2奈米厚度的矽材料層相當。
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