新式鍺材料可望取代矽
- 上線日期：2013/4/17 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程
美國俄亥俄州立大學(Ohio State University)的研究人員們發明出一種以原子薄層沈積鍺材料的新方法，據稱可生長出較矽更高10倍性能的新式鍺材料，並可望成為較其它下一代材料(如石墨烯)更易於製造的替代方案。
俄亥俄州立大學教授Joshua Goldberger表示：「我們已經能夠製造出一種類似石墨烯的鍺材料──與石墨烯一樣的氫基單層，而且它還更易於製造。在過程中，我們還使其從一種間接能隙轉變成直接能隙材料，使其同樣適於光學應用。」
參考原文：http://www.eettaiwan.com/ART_8800683840_480202_NT_e0a61a9b.HTM
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