二硫化鉬電晶體能屈能伸
- 上線日期：2013/6/26 上午 12:00:00
- 資料來源：耐米科學網
美國科學家首度在可撓的塑膠基板上，成功製造出高性能的二硫化鉬(molybdenite, MoS2)電晶體。這項成果顯示二硫化鉬這種材料應該很適合用來製作高速、低耗能的可撓式電子元件。
在直接能隙材料中，電子-電洞對的激發比在間接能隙材料中效率高得多，因此LED、太陽電池、光偵測器及其他光電元件大多採用直接能隙材料。此外，能隙的存在也使元件較容易開與關，這對電晶體而言至為關鍵。二硫化鉬由於具有1.8 eV寬的直接能隙，被看好是當前二維半導體晶體之選，相較於只有間接能隙的矽，可能更適合用來製作某些光電元件，有些科學家甚至認為在未來電子線路應用中，它可能會是「神奇材料」石墨烯(純石墨烯並無能隙)的競爭對手。
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