可撓式鰭式場效電晶體登場
- 上線日期：2014/10/29 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
沙烏地阿拉伯的科學家正試圖將傳統以矽製造的堅硬晶圓，轉變成具有機械可撓性且透明的晶圓。他們最新的實驗用了最新的軟刻蝕基板薄化技術，成功地讓絕緣層覆矽(silicon-on-insulator, SOI)鰭式場效電晶體(FinFET)轉得具有可撓性。此技術可為物聯網(Internet of Things)製造消費電子產品。
半導體產業一向採用基板背研磨技術，但此方法的研磨性過強，會傷害基板正面的元件，以至於無法製造超薄且帶有可撓性的電子裝置。另外，這種方法最多只能研磨至50微米的厚度，不足以製造可撓式基板。阿布杜拉國王科技大學的Muhammad Mustafa Hussai表示，他們的新製程相形之下能溫和地將基板背面磨至遠低於50微米的厚度，製造出彎曲半徑0.5mm的超薄薄膜，對於矽這類硬質固體材料來說堪稱史無前例。
為刻蝕基板背面，Hussain團隊的新技術運用了傳統用於矽的標準反應離子刻蝕氣體，過程中裝置表面先被塗佈上保護用的聚合物，待刻蝕完成再加以移除。該團隊決定研究鰭式場效電晶體，因為這是半導體產業目前最先進的電晶體結構。
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