EUV微影技術未到位 晶片產業面臨不確定性
- 上線日期：2012/1/12 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
長久以來看好可作為晶片製造業的下一大步──超紫外光(EUV)微影技術事實上還未能準備好成為主流技術。這意味著急於利用EUV製造技術的全球晶片製造商們正面臨著一個可怕的前景──他們必須使用較以往更複雜且昂貴的技術來擴展現有的光學微影工具，如雙重圖形等。更糟的是，EUV技術的差距對於半導體製造供應鏈的根本經濟基礎構成了威脅。
EUV技術最初是在2005年時針對生產用途所開發的，後來一直被期待用於22nm晶片製造，英特爾公司(Intel)也已於去年率先啟動這項技術。現在，英特爾計劃擴展光學微影技術至14nm節點，而從2015年下半年開始的10nm節點將轉換至以EUV技術作為其主流生產方式。此外，三星公司(Samsung)也計劃最快可在2013年導入EUV技術量產製造。
但晶片製造商希望能在他們計劃進行量產製造前，能夠讓EUV技術預先做好準備，那麼他們將可先行建立晶片設計規則以及調整其製程。而今，一連串的挑戰依然存在，包括開發更好的光罩檢測、維修工具以及感光度更佳的光阻劑。
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