利用氬離子植入 氮化鎵元件崩潰電壓大突破
- 上線日期：2011/2/11 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
氮化鎵(Gallium nitride， GaN)被視為製作高功率電子元件的新一代材料，但到目前為止該材料都受到約略高於250V的崩潰電壓(breakdown)所苦；美國北卡羅萊納州立大學(North Carolina State University)的研究人員表示，他們已經找到一種方法可將氮化鎵元件崩潰電壓提升至1,650V，並因此可讓其功率承受能力(power handling)提升十倍。
具備高功率承受能力的氮化鎵元件將可適用許多新興領域，包括智慧電網(smart-grid)與電動車。北卡羅萊納州立大學教授Jay Baliga表示，他們是沿著氮化鎵元件的終端電極(termination electrode)植入中性物種(neutral species)──氬(argon)，其電場(electrical fields)就會被散佈開來，並因此避免崩潰電壓過早發生。Baliga是與該校博士候選人Merve Ozbek合作進行以上研究。
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