意法半導體推出更小更智慧MEMS晶片
- 上線日期：2011/10/21 上午 12:00:00
- 資料來源：經濟日報
全球第一大消費性電子和可攜式裝置MEMS供應商意法半導體（ST）率先將矽穿孔技術（Throug -Silicon Via，TSV）導入MEMS晶片量產。
在意法半導體的多晶片MEMS產品（如智慧型感測器和多軸慣性模組）內，矽穿孔技術以短式垂直互連方式（shortvertical interconnect）取代傳統的晶片連接，在尺寸更小的產品內實現更高的整合度和性能。
意法半導體指出，矽穿孔技術透過短式垂直結構連接同一個封裝內堆疊放置的多顆晶片，相較於傳統的打線接合（wirebonding）或覆晶堆疊（flip chip stacking）技術，擁有更高的空間使用效率和互連密度。
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