焊接半導體奈米結構全靠它
- 上線日期：2015/2/24 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
美國科學家最近發現，名為chalcogenidometallates的化合物十分適合做為連接半導體元件的焊接材料。這種材料不會污染半導體，所以在製造電晶體、印刷電子及光電元件品時，可以用來它製作乾淨的電接觸。
一般大眾熟知的管線焊接主要是在兩塊金屬連接處填入銲填金屬(焊料)，焊料的熔點比兩種金屬都低，其作用相當於「膠水」。這種方法也經常用於微電子產品，但不同的是，目前沒有任何技術能夠在不破壞半導體特性的情況下，將半導體接在一起。相較於金屬與金屬的接面仍然表現出歐姆導體的行為，半導體與半導體的介面會因為捕獲電荷載子或費米能階對不齊，而形成蕭基能障(Schottky barrier)，因此對雜質與結構缺陷極為敏感。舉例來說，電子束微影術經常被用來在奈米結構上製造電接觸，這種技術除了昂貴、耗時，還容易引入雜質，因為製程中使用的阻劑和溶劑會殘留，汙染樣本。
為避免這些問題，使用「由小作大上」(bottom-up)的方式(例如焊接)會較為妥當，但理想的半導體焊料在結構與成分上應該要很接近所連接的半導體。由芝加哥大學Dmitri Talapin所領導的研究團隊宣稱以鎘、鉛和鉍所合成的chalcogenidometallates正符合此要求，可以用來連接許多具有技術重要性的II-VI、IV-VI 和V-VI族半導體。
全文連結：https://nano.nchc.org.tw/index.php?apps=news&mod=welcome&action=show&gid=1005
- 相關附件: