瑞薩電子開發90奈米單電晶體MONOS快閃記憶體技術
- 上線日期：2016/3/4 上午 12:00:00
- 資料來源：CTIMES
瑞薩電子（Renesas）宣佈開發90奈米（nm）單電晶體MONOS (1T-MONOS)快閃記憶體技術，可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS（BiCDMOS），並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量。瑞薩預期此全新快閃記憶體電路技術，將能使快閃記憶體加入至汽車類比裝置，並具備更高的效能與可靠性。此優異的電路技術在於高溫175°C接面溫度（Tj）下達成一億次以上的P/E耐受度，同時提供極低的重寫耗電量，僅有0.07 mJ/8 KB（毫焦耳，即千分之一焦耳），達到低耗電功能。
近年來，市場除了要求汽車提升燃油效率之外，也希望汽車能提供更寬敞的車內空間與舒適感，因此每部汽車所使用的電子控制單元(ECU)亦隨之增加。隨著汽車控制系統愈趨精密且控制功能愈趨複雜，讓ECU更輕、更具能源效率及尺寸更小已成為重要的議題。尤其散熱器、水幫浦、汽車空調系統等裝置使用許多小型馬達，因此產生了整合ECU及機電元件一體化的需求。
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