Power Topled以奈米堆疊技術提高光輸出量達80%
- 上線日期：2011/11/18 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors)全新具透鏡的 Power Topled ( SFH 4258S / 4259S )，其光學輸出在相同表面區域及相同電流下，較標準的紅外線 LED 高出百分之八十 。這全歸功於這款使用奈米推疊(Nanostack)技術的特殊薄膜晶片，它不只有一個而是兩個 P-N 接面彼此相互堆疊。此一光輸出增幅也使保全及手勢辨識等應用更加受益。
在有限空間下，或需要更大照明範圍時，亦或需要將光線平均散佈到更廣大的區域時，相同表面區域上便經常需要更多的光線。使用多顆的小型 LED 比使用少量但體積大的 LED 更能靈活地達到此效果，而價格在此也顯得至關重要。全新的紅外線 Power Topled 採用奈米堆疊晶片，除了具備更高的光輸出量外，與標準版本別無二致，可直接替代現有版本。加上封裝尺寸維持不變，現有設計均能持續使用。而由於是串聯電路，電壓提高了約兩倍。
紅外線 Power Topled 在 70 mA 的作業電流下，可產生 80mW 的光學輸出，較在相同電流下的標準型號更高出約百分之八十。全新的 LED 可放射 850nm 的波長，因而可在具有最大光譜靈敏度的 CCD 和 CMOS 攝錄鏡頭以及人眼受制的能見度之間作為良好的折衷方案。其具有兩種不同的鏡片種類，可提供 +/-15° (SFH 4258S)及+/-25° (SFH 4259S)的光束角度。
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