Globalfoundries：20nm後我們以技術取勝
- 上線日期：2012/6/23 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
“當談到FinFET時，它必用在行動處理器上，我們才能真正感受到它的優勢，”Globalfoundries技術長辦公室先進技術架構主管Subramani Kengeri稍早前台北國際電腦展(Computex)期間的媒體活動上表示。他也指出，在次20nm及以下節點時，他們在High-k/金屬閘極上的經驗，以及掌握的FinFET專利，將能在行動市場贏得更多優勢。
“High-k/金屬閘極已經很複雜了，但FinFET更加複雜，”Kengeri說。以一顆20奈米晶片為例，FinFET在超低壓時表現仍然很好，但在平面製程，功耗表現非常差。所以，“若稍微提升電壓，效能會更好，但這在平面製程上是做不到的。”
至今，我們仍聽到28nm有許多問題無法解決，Kengeri說。
Kengeri指出，未來在晶圓代工領域，推動成長的關鍵在於行動裝置所需要的技術，包括長電池壽命，多功能整合，以及低成本。“當結合這些優勢，我們就能繼續專注在行動市場。我們已經為行動產業中最重要的處理器和繪圖單元定義了最佳化技術，這就是我們為客戶做的，我們通常與客戶花費一年半到兩年的時間來合作開發，並確保能長期穩定供貨。”
他接著指出，High-k/金屬閘極是非常挑戰性的技術，很不容易用在製程上，但Globalfoundries已經克服了很多晶圓廠正在面臨的問題。如稍早前AMD發表的新系列APU，就是使用該公司的high-K/金屬閘極技術。
Globalfoundries從32奈米開始使用high-k/金屬閘極技術，據Kengeri表示，到28奈米時，已經有90幾款設計開始出貨了。
而在28nm以後，Kengeri表示，Globalfoundries的20nm策略仍舊是針對行動應用最佳化，而且會開始使用第三代HIGH-K金屬閘極技術。
而在14nm及以下製程，Kengeri提出了四個關鍵技術：FinFET、超紫外光(EUV)微影技術、450mm晶圓，以及矽穿孔(TSV)技術。
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