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首頁新聞訊息晶圓級石墨烯即將問世

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美國與英國的科學家已經成功找出能生成高品質、100至300 mm晶圓級石墨烯的新方法。由於300 mm是矽晶圓的標準尺寸，這項突破意味著碳材與矽的整合將更容易，這正是石墨烯研究的主要目標。

石墨烯是單原子厚的碳薄片，由於具備獨特的電性與機械性質例如極高的電導性與強度，被看好是製造未來分子電子裝置的材料。第一個能實際應用的石墨烯裝置很可能需要結合碳材與矽CMOS科技。然而由於缺乏製造大面積石墨烯薄膜的可靠製程，石墨烯與矽CMOS的結合一直很難達成。

科學家嘗試過數種不同生成石墨烯的方式，其中化學氣相沈積法(CVD)可能是與矽超大型積體電路科技相容度最高的方法。然而，如此生成的石墨烯可能有許多瑕疵，導致電荷載子遷移率較低。