工研院與應材共同開發3DIC核心製程
- 上線日期：2009/10/21 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
全球首座3DIC實驗室預計將在明年中登場期間，工研院與美商應用材料公司(Applied Material)宣佈進行3DIC核心製程的客制化設備合作開發。這個彈性的開放製程平台，將整合3DIC的主流技術矽導穿孔(Through-silicon Vias，TSV)製程流程，縮短積體電路及晶片開發時間，協助半導體廠商迅速地將先進晶片設計導入市場，進而大幅降低初期投資。
工研院主導的3DIC實驗室將建構完整及多樣化的製程能力，整線系統包括蝕刻、實體氣相沈積、化學機械研磨及電漿強化化學氣相沈積四大設備，這新設備將會用來製造與矽導穿孔(TSV)技術相關的積體電路。
工研院與應用材料公司將針對先鑽孔、後鑽孔以及顯露鑽孔的矽導穿孔(TSV)製程流程做技術整合，提供最小線寬的蝕刻、最快速度的沈積、最穩定的製程研磨設備，協助聯盟的會員廠商迅速地將先進的晶片設計導入市場，進而大幅降低開發時間及初期投資。
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