力旺電子NeoFuse技術於16nm FinFET成功完成驗證
- 上線日期：2015/6/9 上午 12:00:00
- 資料來源：CTIMES
力旺電子宣佈，其單次可程式（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程平台成功完成驗證，並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用，28奈米方面亦已佈建於台灣、美國、中國地區多家晶圓代工廠之多晶矽氮氧化矽（Poly SiON）與高介電金屬閘極（High-K Metal Gate，HKMG）製程平台並進入量產階段，量產效益將持續擴張。
NeoFuse技術已於多家國際級晶圓代工廠之0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米的邏輯、高壓（High-Voltage, HV）、低電（Low-Power, LP）、超低電（Ultra-Low Power, ULP）等製程平台完成佈建並進入量產，並獲多家客戶採用，嵌入設計於影像感測晶片、影像訊號處理器（Image Signal Processor, ISP）、感測器中樞（Sensor Hub）、微機電控制晶片（MEMS Controller）、安全微控制器（Security Microcontroller Unit, Security MCU）與DRAM修護（DRAM Repair）等應用領域。
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