ST與Soitec合作開發新一代CMOS影像感測技術
- 上線日期：2009/5/15 上午 12:00:00
- 資料來源：Ctimes
意法半導體與工程基板供應商Soitec，宣佈雙方共同簽署一項獨家合作協議。根據此協議，兩家公司將合作開發300微米晶圓級背光（BSI，Backside-illumination）技術，為消費性電子產品打造新一代影像感測器。
隨著先進影像感測技術解析度的不斷提升，以及市場對縮減相機模組整體尺寸的迫切需求，尤其是消費性電子市場，廠商急需開發單位畫素尺寸更小，同時還能保持畫素靈敏度及高畫質的影像技術。而背光技術將是新一代影像感測器開發過程中的關鍵要素。
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