CICC：石墨烯將在2024年取代CMOS半導體技術
- 上線日期：2011/9/23 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
CMOS半導體技術將在2024年7nm製程時代面臨窘境，而石墨烯可望脫穎而出，成為用來取代這項技術的最佳選擇──這是根據近日於美國加州舉行的IEEE定制積體電路大會(CICC)一場專題演講上所發表的看法。
「石墨烯已經展現出最終將取代矽晶微型晶片的多種可能了，但我個人認為最早還要再過十年，直到矽晶材料達到極限以後，我們才會看到石墨烯應用出現。」美國喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)電子與電腦工程學教授James D. Meindl表示。他同時也是該校奈米技術研究中心的創始總監，該研究中心致力於石墨烯的研究已有五年之久了。
在2024年時，矽晶 MOSFET 在可製造的通道長度以及可支援的絕緣閘厚薄方面將會達到瓶頸，Meindl援引國際半導體技術藍圖(ITRS)的預測表示。
在成為取代CMOS的替代材料之前，石墨烯也面臨著許多挑戰。「我們必須在石墨烯薄片上製造出數十億個電晶體，但我們目前所能製造的電晶體數量極少，」Meindl說。
英國曼徹斯特大學(University of Manchester )的研究人員們在2004年的一項研究中發現了這種新材料。這項獲得諾貝爾獎(Nobel Prize)的研究貢獻在於找到了一種可製造單層碳原子的新方法。Meindl回想，「當時沒有人認為可以做到這一點，但對於讓單層碳原子以六角形蜂巢晶格完美排列後所能實現的應用來說，那其實只是一個起點。」
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