東芝拼了！NAND Flash全面轉進43奈米製程
- 上線日期：2008/9/25 上午 12:00:00
- 資料來源：DIGITIMES電子時報
為因應NAND Flash產業景氣寒冬，以及進入傳統淡季後價格進一步重挫，日系大廠東芝(Toshiba)計劃在2009年第1季前，將製程技術全數轉進43奈米，現有56奈米製程將逐步退役，屆時東芝將是全球NAND Flash製造商成本結構最低者，為2009年初即將來臨的淡季潮作準備；反觀2大競爭對手三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)分別在51和48奈米製程進度不如預期，尤其是海力士進度大幅落後，更將拉大彼此距離。
2008年NAND Flash價格一再重挫，完全沒有旺季效應可言，之前跌勢集中在主流規格8Gb和16Gb晶片，雖然近期逐漸止跌，但現在各界幾乎已有共識，未來將輪到32Gb晶片價格作一番調整，跌勢可能會集中在高容量晶片。因此，為因應傳統淡季來臨，NAND Flash大廠已開始作準備，以度過漫長寒冬。
記憶體業者透露，東芝將全面性將製程技術轉進到43奈米製程，目前已著手準備，逐步停掉56奈米製程產品，預計到2009年初，幾乎可將NAND Flash晶片全部替換成43奈米製程，達成降低成本目標。屆時東芝將是全球NAND Flash製程技術最領先者，也是成本最低者，雖然這樣成本下降動作，不一定會增加獲利，但至少可降低虧損幅度和機率，因為2009年初的傳統淡季，大家已有心理準備會「超乎預期地淡」。
記憶體業者指出，海力士2008年在NAND Flash製程吃足苦頭，主要是48奈米製程量產不順所致，原預期48奈米製程2008年初即應該量產，然卡在良率拉不上來因素，遲無法真正大幅量產，一直拖到現在，離東芝的速度仍有一大段距離，成本也不具競爭力。
值得注意的是，海力士48奈米製程遞延，造成一整個製程世代落後，因此，海力士之前宣布要減產NAND Flash，是不得不的決定，因為在製程技術無法突破下，是多做多賠，不如將重心放在DRAM產品上放手一搏。
記憶體業者指出，現在NAND Flash大廠面對終端需求每況愈下，持續製程微縮以降低成本，已是不二法門，在需求下降、價格下滑及成本降低的追逐賽中，若成本下降速度能追上價格下降幅度，業者就能少虧一點。
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