IMEC先進材料大幅降低閘極漏電流
- 上線日期：2012/6/23 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
為提高下一代邏輯元件的先進金屬 high-k 閘極堆疊性能， IMEC 稍早前展示了具備可替換金屬閘極(Metal-Gate-Last)電晶體的更高k (higher-k)電介質，與當前業界採用 HfO2 high-k 電介質的最先進邏輯元件相較，可減少200倍到1,000倍的閘極漏電流。
為滿足奈米級元件對製程控制以及可替換金屬閘極的微縮需求，IMEC透過製程最佳化實現了20nm閘極長度。IMEC的研究也涉及了先進電晶體的重要製程變異來源。這項研究成果已經在六月初的 VLSI Technology Symposium發佈。
隨著FinFET等3D電晶體在進入14nm和以下製程後都將面臨再微縮的挑戰，許多電晶體都己逼近10~100個原子等級。而具有高長寬比和複雜拓樸結構的FinFET則讓實體分析和測量變得更加具有挑戰性。IMEC的先進物理分析實驗室針對下一代物理分析和測量進行了許多研究，已經能運用一種創新的原子探針斷層掃描技術，為奈米級FinFET元件的摻雜分佈實現原子級解析度。
<全文連結>
- 相關附件: