記憶體材料新秀─奈米多孔氧化物
- 上線日期：2014/8/12 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
具氧化物雙電極的電阻式記憶體(resistive random access memory, RRAM)很適合新一代的非揮發性記憶體應用，而美國萊斯大學的研究團隊最近發表了一種嶄新的RRAM，該元件是以奈米多孔矽氧化物結構為基材，利用內部垂直奈米孔隙進行開關操作。該團隊表示，此元件可能是取代矽基快閃記憶體的最佳選項。
團隊成員Gunuk Wang指出，過去五十年來，CMOS電晶體一直是電子記憶體工業的唯一選項，然而現行科技已經越來越難做出更小的CMOS電晶體，新一代奈米記憶體的發展因而受到延遲；此外，這類記憶體還有組裝成本高、操作速度相對低(需數微秒)的缺點。
雖然科學家一直在找尋CMOS電晶體的替代品，結果卻不盡讓人滿意。氧化物為主的RRAM通常可分為單極與雙極記憶體兩類。多數單極記憶體的開關速度較不穩定；雙極記憶體雖然較穩定，但有開關比(switching ratio)較低等其他缺陷。另外，兩種記憶體都需要高溫製程處理，較高的開關電流也讓不利於奈米尺度下的操作，因此需要在元件內加裝分流用的額外電阻，導致結構變得更複雜。
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