徘徊十字路口 微影技術面臨發展鴻溝
- 上線日期：2010/5/12 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
微影技術已發展至抉擇的十字路口，而且很可能正朝著錯誤的方向前進。
微影技術可說是支配著‘摩爾定律’所闡釋IC製程縮微週期的一項關鍵生產技術。儘管目前這一技術看來依然可行，而且其壽命已經遠遠超出了所有人的預期；然而，它很可能在不久的將來失去發展動力。因此，後續的相關技術研究早在幾十年前就已經展開。
時至今日，在四種主要的下一代微影(NGL)候選技術中，包括超紫外線(EUV)、多波束無光罩(multi-beam maskless)以及奈米壓印(nanoimprint)等三項技術都已經遠落後於其開發時間表了。
特別是EUV技術，至今已消耗了大量的研發時間與資金，卻仍未能取得多少成果，因而促使一些業界人士呼籲必須重新導向並集中各方研發力量。此外，奈米壓印技術本身存在著多層對位的堆疊精密度(overlay)與吞吐量等問題，而多波束技術則仍然在研發階段。至於第四種下一代微影候選技術──定向自組裝(directed self-assembly)，雖然是一種十分具有遠景的研究課題，但卻遲遲未能開始進行研發。
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