向HP叫陣 萊斯大學開發全矽憶阻器
- 上線日期：2010/9/10 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
美國萊斯大學(Rice University)的研究人員表示，與惠普(HP)採用鈦(titanium)為基礎材料的方法相較，以純矽來製作憶阻器(memristor)，將可實現更容易生產、成本也更低的電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)。
透過與無晶圓廠晶片設計公司PrivaTran的合作，該研究團隊已經完成容量為1kbit的ReRAM概念驗證，並表示未來能將元件密度提升到甚至可超越快閃記憶體的水準。萊斯大學教授James Tour指出：「我們的憶阻器是用矽所製作，不同於HP使用鈦的做法；在HP的專利申請文件中列出了很多氧化物，而非氧化矽，我們就是用這種材料實現ReRAM。」
氧化矽(Silicon oxide)是目前最常見的絕緣材料，運用在幾乎所有的CMOS晶片中；該種材料在1960年代首度特徵化，工程師會刻意將氧化矽沉積出厚度，以避免其分解。然而萊斯大學與PrivaTran表示，若謹慎地製作通過該種材料的電壓脈衝，還是能製作出將電阻由接近無限大縮小為接近零的氧化矽薄膜。
事實上，SanDisk已經利用這種方法來製作一次寫入記憶體，但萊斯大學與PrivaTran的研究團隊聲稱，他們已讓該種製程可逆轉，並實現純矽ReRAM。
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