ST全新LET射頻功率晶片工作頻率達2GHz
- 上線日期：2011/10/14 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
意法半導體(STMicroelectronics, ST)推出 LET 系列射頻(RF)功率電晶體，新產品採用先進技術，適用於包括政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統(private mobile radio, PMR)，以及L波段衛星上連(L-band satellite uplink)設備等要求苛刻的應用領域。
ST表示，保全和緊急救援組織及商業通訊公司所使用的無線基地台和中繼器等通訊設備必須在輸出大功率高頻RF訊號的同時保持低失真率，這兩個相互矛盾的要求使系統設計變得更加複雜，並增加了相對的產品成本。多年來市場應用證明，LDMOS技術可以為設計人員實現這些目標，而ST現在則推出了一項讓設備設計人員能夠進一步提高系統性能的先進技術。
LET 系列RF 電晶體採用意法半導體最新的STH5P LDMOS製造技術，擁有更高的功率飽和功能，可最大幅度地降低訊號在大功率下的失真率。新系列產品的工作頻率高達2GHz，且大幅改進了線性、穩健性和可靠性。能效更較上一代LDMOS產品提高了10-15%。
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