複合科技開啟2D電子元件新紀元
- 上線日期：2014/7/11 上午 12:00:00
- 資料來源：奈米科學網
美國科學家最近公布了一項CMOS相容新科技，能將不同的2D材料整合至單一電子裝置上。他們採用化學氣相沉積法生長的石墨烯(graphene)/二硫化鉬(molybdenum sulphide)異質結構，製造出大型電子電路，其中二硫化鉬做為電晶體通道，石墨烯為接觸電極及內連線。此製作過程具有推廣至任一種2D材料異質結構的有潛力，可能的應用包括可撓式透明電子元件、感測器、穿隧式場效電晶體與高電子遷移率電晶體。
2D材料在全球實驗室中引發了一股熱潮，它們與3D材料的電性與機械性質大相逕庭，意味著這些材料能用來製作許多嶄新的元件，如節能電子電路、低成本或可撓式顯示器、感測器，甚至是可以鍍在不同表面上的可撓式電子產品。最有名的2D材料是石墨烯以及過渡金屬二硫化物，後者俗稱為凡得瓦材料(van der Waals materials)，它們的化學式為MX2(M代表過渡金屬，X代表硫族元素)，其塊材為間接能隙半導體，變成單原子層後卻轉為直接能隙半導體，因此能有效吸收、放出光子，是製造各種光電設備的理想選擇。
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